[实用新型]铜膜厚测量标准片有效
| 申请号： | 201320672758.0 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN203642899U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 刘媛娜;尹正朝;侯大维 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01B21/08 | 分类号： | G01B21/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种铜膜厚测量标准片，其包括衬底、介质层、预知厚度的铜膜以及保护层，所述介质层形成于所述衬底上，所述铜膜形成于所述介质层上，所述保护层形成于所述铜膜上。该铜膜厚测量标准片，解决了集成电路制造领域没有铜膜厚测量标准片的问题，有了这种标准片，铜膜厚测量机台的校准就有了准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 铜膜厚 测量 标准 | ||
【主权项】：
一种铜膜厚测量标准片，其特征在于，所述标准片包括衬底、介质层、预定厚度的铜膜以及保护层，所述介质层形成于所述衬底上，所述铜膜形成于所述介质层上，所述保护层形成于所述铜膜上。
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