[实用新型]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备

摘要

本实用新型公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。最后可获得电学性能完全达到要求的砷化镓单晶。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。

主权项

一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备，其特征在于，包括形状相适配的石墨坩埚和热解氮化硼坩埚，热解氮化硼坩埚套装在石墨坩埚的内部，在热解氮化硼坩埚的下部设置有籽晶，籽晶上部设置有B₂O₃，热解氮化硼坩埚的中部设置有原材料，原材料的上部设置有B₂O₃，原材料内设置有若干个容置槽，容置槽内设置有掺杂剂，容置槽的端口设置有密封塞将其密封。