[实用新型]减少晶体管温升的电路排布结构有效
| 申请号： | 201320633015.2 | 申请日： | 2013-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN203521395U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王宏;李震;谢刚 | 申请（专利权）人： | 四川长虹欣锐科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H05K1/18 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 濮云杉 |
| 地址： | 628017 四川省广元市经济开*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型减少晶体管温升的电路排布结构，包括电源，在电源的背面固定设有贴封式的MOSFET和外围贴片元件，在电源的正面设有用于散热的跨针。本实用新型的减少晶体管温升的电路排布结构，在不增加电源成本的基础上增加了贴封式MOSFET的可选择性，还通过各种散热方式有效避免了MOSFET工作时的高温对周边元器件造成影响，提高了MOSFET本身以及周边元器件的工作稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 晶体管 电路 排布 结构 | ||
【主权项】：
减少晶体管温升的电路排布结构，包括电源（5），在电源（5）的背面固定设有贴封式的晶体管（1）和外围贴片元件（2），其特征为：在电源（5）的正面设有用于散热的跨针（3）。
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