[实用新型]具有孔的半导体装置有效
| 申请号： | 201320565239.4 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN203683082U | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 戴维·L·马克斯;B·伯坎肖;J·布雷泽克 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种具有孔的半导体装置包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大。所述装置可以包括：口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上。所述装置包括：填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种具有孔的半导体装置，其特征在于，包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大；以及口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面内的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上；以及填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。
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