[实用新型]X射线检测装置阵列基板有效
申请号: | 201320556216.7 | 申请日: | 2013-09-06 |
公开(公告)号: | CN203445122U | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 田宗民;张文余;谢振宇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/146 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型实施例公开了一种X射线检测装置阵列基板,包括薄膜晶体管和与薄膜晶体管相连的光电二极管传感器件。薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层和源极、漏极,其中薄膜晶体管的有源层上下设置有二次电子发射层,形成微通道结构,使有源层获得了较高的载流子迁移率,从而提高了薄膜晶体管的性能,提升了X射线检测装置的灵敏度。另外,本实用新型实施例公开的X射线检测装置阵列基板采用柔性衬底,使X射线检测装置具有轻薄、安装简便、功耗低、携带方便、经久耐用等优点。 | ||
搜索关键词: | 射线 检测 装置 阵列 | ||
【主权项】:
一种X射线检测装置阵列基板,包括薄膜晶体管和与薄膜晶体管相连的光电二极管,所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层和源极、漏极,其特征在于,所述有源层之下设置有第一二次电子发射层,所述有源层之上设置有第二二次电子发射层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320556216.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:移动电子设备
- 下一篇:处理上行HARQ反馈的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的