[实用新型]一种碳化硅半导体器件有效
| 申请号： | 201320525244.2 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN203423185U | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 黄国华;冯明宪;门洪达;张伟;王坤池;周月 | 申请（专利权）人： | 厦门天睿电子有限公司;黄国华 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市翔安区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种碳化硅半导体器件，包括半导体衬底、缓冲层和导电外延层，在所述导电外延层上设有栅电极和源极，所述栅电极包括栅介质层和多晶硅层，在所述导电外延层内设有阱区，在所述阱区内设有源区，其特征在于：所述栅介质层包括下层二氧化硅层、位于下层二氧化硅层上的氮化硅层、位于氮化硅层上端的上层二氧化硅层。本实用新型所提出的碳化硅半导体器件能够保证器件栅源耐压满足产品规范和应用要求，同时能够得到较低的界面态浓度以及稳定的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，包括半导体衬底、缓冲层和导电外延层，在所述导电外延层上设有栅电极和源极，所述栅电极包括栅介质层和多晶硅层，在所述导电外延层内设有阱区，在所述阱区内设有源区，其特征在于：所述栅介质层包括下层二氧化硅层、位于下层二氧化硅层上的氮化硅层、位于氮化硅层上端的上层二氧化硅层。
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