[实用新型]一种转接板的晶圆级硅孔结构

摘要

本实用新型涉及一种转接板的晶圆级硅孔结构，属于半导体封装技术领域。其在基体（110）内设置呈倒梯形的盲孔（111）和与盲孔（111）连接的基体底部开口（112），盲孔Ⅰ（111）内设置绝缘层Ⅰ（210）和金属层Ⅰ（310），并形成绝缘层Ⅰ开口（211），基体（110）的上方设置若干层金属层Ⅲ（330）和保护层Ⅰ（510）；基体底部开口（112）内设置绝缘层Ⅱ（220）和金属层Ⅱ（320），金属层Ⅱ（320）与金属层Ⅰ（310）通过绝缘层Ⅰ开口（211）实现电气连通，金属层Ⅱ（320）的表面设置保护层Ⅱ（520）和保护层Ⅱ开口（521）。本实用新型降低了工艺难度和工艺成本，具备规模化生产能力，并可实现转接板的高密度技术，有利于应用该硅基转接板结构的电子器件的推广。

主权项

一种转接板的晶圆级硅孔结构，包括基体（110），所述基体（110）内设置硅孔，其特征在于：所述硅孔包括盲孔（111）和与盲孔（111）连接的基体底部开口（112），所述盲孔（111）呈倒梯形，所述基体底部开口（112）的开口尺寸不大于盲孔（111）底部的尺寸，所述盲孔（111）内沉积绝缘层Ⅰ（210）并于盲孔（111）的底部形成绝缘层Ⅰ开口（211），所述绝缘层Ⅰ（210）向上延伸并覆盖基体（110）的上表面，所述绝缘层Ⅰ（210）的表面设置金属层Ⅰ（310），所述金属层Ⅰ（310）于盲孔（111）的底部相连接，所述基体（110）的上方设置若干层金属层Ⅲ（330），不同的所述金属层Ⅲ（330）之间设置介电层（400）和介电层开口（401），不同的所述金属层Ⅲ（330）通过介电层开口（401）连接，最底层的所述金属层Ⅲ（330）与金属层Ⅰ（310）连通，最顶层的所述金属层Ⅲ（330）的周围覆盖保护层Ⅰ（510），所述保护层Ⅰ（510）于金属层Ⅲ（330）的表面形成保护层Ⅰ开口（511），所述基体底部开口（112）内沉积绝缘层Ⅱ（220）并形成绝缘层Ⅱ开口（221），所述绝缘层Ⅱ（220）与绝缘层Ⅰ（210）于盲孔（111）的底部相连接、且沿基体底部开口（112）向下延伸并覆盖基体（110）的下表面，所述绝缘层Ⅱ（220）表面设置金属层Ⅱ（320），所述金属层Ⅱ（320）填充绝缘层Ⅱ开口（221）、并与金属层Ⅰ（310）于盲孔（111）的底部通过绝缘层Ⅰ开口（211）实现电气连通，所述金属层Ⅱ（320）的表面设置保护层Ⅱ（520），并形成保护层Ⅱ开口（521）。