[实用新型]一种半导体器件阴极结构

摘要

本实用新型的名称为一种半导体器件阴极结构。属于半导体器件技术领域。它主要是解决现有半导体器件阴极因放大门极渐开线指条太长而存在di/dt耐量低、门极控制开通均匀性差等缺点。它的主要特征是：所述的放大门极延长线指条包括呈辐射状均匀分布的直线型内指条和与其外端连接的V字型外指条，内端插入并与放大门极圆环连接；直线型内指条的两个边外指条对称；各V字型外指条的外端点在所在的圆周上均匀分布；直线型内指条、V字型外指条的夹角边缘为圆形。本实用新型具有提高芯片有效利用面积、初始导通面积和阴极区开通均匀性的特点，广泛应用于电力半导体快快速晶闸管、脉冲晶闸管等快开通器件阴极图形设计。

主权项

一种半导体器件阴极结构，包括阴极区域及分布在阴极区域上的阴极区短路点、以圆心为中心门极的同心圆环、以圆心为中心的放大门极圆环和放大门极延长线指条，其特征在于：所述的放大门极延长线指条包括呈辐射状均匀分布的直线型内指条；该直线型内指条的一端插入并与放大门极圆环连接；直线型内指条的另一端连接有V字型外指条，该V字型外指条的两个边外指条对称，且均为呈钝角夹角的两段；各V字型外指条的外端点在所在的圆周上均匀分布；直线型内指条、V字型外指条的夹角边缘为圆形。