[实用新型]一种自振荡型隔离DC-DC变换器电路拓扑有效
申请号: | 201320506053.1 | 申请日: | 2013-08-19 |
公开(公告)号: | CN203951365U | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 罗晓泉 | 申请(专利权)人: | 罗晓泉 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/44 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 100039 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种新颖DC-DC变换器电路拓扑,它是以可饱和磁芯变压器与电压控制型功率半导体开关器件为核心,组成的自激振荡型DC-DC变换器电路拓扑,通过引入一个耦合电感与可饱和磁芯变压器进行原边串联,同时,将耦合电感与可饱和磁芯变压器通过输出整流二极管进行副边并联,实现了耦合电感与可饱和磁芯变压器的交替互补输出,优化了主功率回路所有磁性元件的使用条件。 | ||
搜索关键词: | 一种 振荡 隔离 dc 变换器 电路 拓扑 | ||
【主权项】:
一种DC‐DC变换器电路拓扑,它是由一个可饱和磁芯变压器(Tr1)、一个耦合电感(Tr2)、一个压控型功率半导体开关器件(Q1)、一个谐振电容(C2)、一个输入及高频滤波电容(C1)、两个高频二极管和高频输出电容(D1、D2、C3)组成,其特征是:一个耦合电感(Tr2)与一个可饱和磁芯变压器(Tr1)的原边直接串联连接;耦合电感(Tr2)反相后与可饱和磁芯变压器(Tr1)的副边通过输出二极管(D1、D2)并联连接。
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