[实用新型]阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201320502762.2 | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN203386754U | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 李月;董学;薛海林;陈小川 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种阵列基板和显示装置,该阵列基板包括:衬底基板和形成于所述衬底基板上的像素区和周边区,所述周边区位于所述像素区的周边,所述像素区包括:非晶硅薄膜晶体管,所述周边区包括:低温多晶硅结构。所述显示装置,包括上述阵列基板。本实用新型提供的阵列基板和显示装置的技术方案中,阵列基板包括衬底基板和形成于衬底基板上的像素区和周边区,周边区位于像素区的周边,像素区包括非晶硅薄膜晶体管,周边区包括低温多晶硅结构,由于像素区采用了非晶硅薄膜晶体管,因此克服了现有技术中低温多晶硅阵列基板存在的像素区漏电流过大的问题,从而降低了像素区的漏电流。周边区中设置了LTPS结构,从而实现了显示装置的窄边框设计。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括:衬底基板和形成于所述衬底基板上的像素区和周边区,所述周边区位于所述像素区的周边,其特征在于,所述像素区包括:非晶硅薄膜晶体管,所述周边区包括:低温多晶硅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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