[实用新型]一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器

摘要

本实用新型公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次为AlN缓冲层、n型AlGaN层、i型AlGaN层、p型AlGaN层、下层Si3N4钝化膜、上层Si3N4钝化膜，n欧姆接触电极位于n型AlGaN层上，p欧姆接触电极位于p型AlGaN层上。本实用新型的优点在于AlGaN基紫外探测器中钝化膜应力低、致密度高、耐腐蚀。

主权项

一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器，器件结构为：在蓝宝石衬底（1）上依次为AlN缓冲层（2）、n型AlGaN层（3）、i型AlGaN层（4）、p型AlGaN层（5）、下层Si3N4钝化膜（8）、上层Si3N4钝化膜（9），n欧姆接触电极（6）位于n型AlGaN层（3）上，p欧姆接触电极（7）位于p型AlGaN层（5）上，其特征在于，在AlGaN基紫外探测器的结构的台面表面以及台面侧面有两层钝化膜，即下层Si3N4钝化膜（8）和上层Si3N4钝化膜（9）；所述的下层Si3N4钝化膜（8）的膜厚为1000‑2000埃，所述的上层Si3N4钝化膜（9）的膜厚为2000‑3000埃。