[实用新型]一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器有效

专利信息
申请号: 201320460221.8 申请日: 2013-07-30
公开(公告)号: CN203456486U 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 刘秀娟;张燕;李向阳;王立伟;卢怡丹;常超 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/0248
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器,器件结构为:在蓝宝石衬底上依次为AlN缓冲层、n型AlGaN层、i型AlGaN层、p型AlGaN层、下层Si3N4钝化膜、上层Si3N4钝化膜,n欧姆接触电极位于n型AlGaN层上,p欧姆接触电极位于p型AlGaN层上。本实用新型的优点在于AlGaN基紫外探测器中钝化膜应力低、致密度高、耐腐蚀。
搜索关键词: 一种 具有 双层 钝化 algan 紫外 探测器
【主权项】:
一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器,器件结构为:在蓝宝石衬底(1)上依次为AlN缓冲层(2)、n型AlGaN层(3)、i型AlGaN层(4)、p型AlGaN层(5)、下层Si3N4钝化膜(8)、上层Si3N4钝化膜(9),n欧姆接触电极(6)位于n型AlGaN层(3)上,p欧姆接触电极(7)位于p型AlGaN层(5)上,其特征在于,在AlGaN基紫外探测器的结构的台面表面以及台面侧面有两层钝化膜,即下层Si3N4钝化膜(8)和上层Si3N4钝化膜(9);所述的下层Si3N4钝化膜(8)的膜厚为1000‑2000埃,所述的上层Si3N4钝化膜(9)的膜厚为2000‑3000埃。
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