[实用新型]一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器有效
申请号: | 201320460221.8 | 申请日: | 2013-07-30 |
公开(公告)号: | CN203456486U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 刘秀娟;张燕;李向阳;王立伟;卢怡丹;常超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/0248 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器,器件结构为:在蓝宝石衬底上依次为AlN缓冲层、n型AlGaN层、i型AlGaN层、p型AlGaN层、下层Si3N4钝化膜、上层Si3N4钝化膜,n欧姆接触电极位于n型AlGaN层上,p欧姆接触电极位于p型AlGaN层上。本实用新型的优点在于AlGaN基紫外探测器中钝化膜应力低、致密度高、耐腐蚀。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 双层 钝化 algan 紫外 探测器 | ||
【主权项】:
一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器,器件结构为:在蓝宝石衬底(1)上依次为AlN缓冲层(2)、n型AlGaN层(3)、i型AlGaN层(4)、p型AlGaN层(5)、下层Si3N4钝化膜(8)、上层Si3N4钝化膜(9),n欧姆接触电极(6)位于n型AlGaN层(3)上,p欧姆接触电极(7)位于p型AlGaN层(5)上,其特征在于,在AlGaN基紫外探测器的结构的台面表面以及台面侧面有两层钝化膜,即下层Si3N4钝化膜(8)和上层Si3N4钝化膜(9);所述的下层Si3N4钝化膜(8)的膜厚为1000‑2000埃,所述的上层Si3N4钝化膜(9)的膜厚为2000‑3000埃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320460221.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:接线端子
- 下一篇:太阳能电池表面钝化层结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的