[实用新型]一种磁阻限流器有效
申请号: | 201320459717.3 | 申请日: | 2013-07-30 |
公开(公告)号: | CN203481806U | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 周志敏;詹姆斯·G·迪克 | 申请(专利权)人: | 江苏多维科技有限公司 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02;H01L43/08 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;项丽 |
地址: | 215634 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实用新型公开了一种磁阻限流器,包括基片、磁阻传感器层、第一绝缘层、线圈、第二绝缘层、磁屏蔽层及输入电极和输出电极。线圈位于磁屏蔽层和磁阻传感器层之间,第一绝缘层、第二绝缘层分别隔离磁阻传感器层和线圈、线圈和磁屏蔽层,磁阻传感器层和线圈串联,并连接输入电极和输出电极。磁阻传感器层包括N行阵列式的磁隧道结行,线圈包括2*N+M(N>1,M=-1或3)行串联或N+M(N>1,M=0或2)行并联的导电行,电流同方向流入位于隧道结行之上或下的导电行,且在磁隧道结行处产生均匀磁场,该磁阻限流器具有响应速度快、可连续操作、对增减电流均起作用等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁阻 限流 | ||
【主权项】:
一种磁阻限流器,其特征在于:其包括:基片、输入电极、输出电极、磁阻传感器层、第一绝缘层、线圈、第二绝缘层以及磁屏蔽层;线圈位于磁屏蔽层和磁阻传感器层之间,第一绝缘层分隔线圈和磁阻传感器层,第二绝缘层分隔线圈和磁屏蔽层;磁阻传感器层包括N行阵列式的磁隧道结行,N为大于1的整数,每行磁隧道结行包括一个或多个互联的磁隧道结单元,磁隧道结行之间以串联、并联或者混合串并联形成磁阻传感器层的两端口结构,线圈也具有两端口结构,磁阻传感器层的一个端口与线圈的一个端口相接,磁阻传感器层的另一个端口与输入电极相连,线圈的另一端口与输出电极相连;电流经输入电极流入磁阻传感器层,再经线圈从输出电极流出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏多维科技有限公司,未经江苏多维科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320459717.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电铸设备
- 下一篇:一种工件钻孔加工装置