[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320426298.3 | 申请日： | 2013-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN203491263U | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 伊藤明 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：源区，被布置于半导体衬底；漏区，被布置于半导体衬底；栅区，被布置到半导体衬底上，并位于源区和漏区之间。半导体器件还包括：栅氧区，被布置到半导体衬底上，与栅区接触；以及阱区，被植入到半导体衬底上并位于栅区和栅氧区下面。栅氧区具有与阱区接触的下外沿部分。该半导体器件可以是低阈值电压金属氧化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括： 源区，被布置于半导体衬底； 漏区，被布置于所述半导体衬底； 栅区，被布置到所述半导体衬底上，并且位于所述源区和所述漏区之间； 栅氧区，被布置在所述半导体衬底上并与所述栅区接触；以及 阱区，被植入到所述半导体衬底上并位于所述栅区和所述栅氧区的下面， 其中，所述栅氧区具有与所述阱区接触的下外沿部分。
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