[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201320417067.6 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN203377216U | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 安藤孝由 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李亚;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，能够获取更大的能够配置栅极焊盘的区域。半导体装置包括：晶体管，具有栅极电极、第1电极和第2电极；以及第1及第2保护电路，一端共同与栅极电极连接，另一端分别与第1电极及第2电极连接，第1及第2保护电路分别构成于在一个场绝缘膜上分离形成的第1及第2多晶硅层内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：形成在半导体芯片中的晶体管、第1二极管和第2二极管，其中所述晶体管包括栅极焊盘、第1电极和第2电极；其中所述第1二极管包括：第1多晶硅层，包括同心环状的N/P/N层，最外部的N层与所述第1电极连接，最内部的N层与所述栅极焊盘连接；和第2多晶硅层，与所述第1多晶硅层分离形成，所述第2多晶硅层包括同心环状的N/P/N层，最外部的N层与所述第2电极连接，最内部的N层与所述栅极焊盘连接。
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