[实用新型]一种干刻设备的下部电极和干刻设备有效
申请号: | 201320382166.5 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN203300611U | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 方业周;任健;王振伟 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32;H01J37/04 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种干刻设备的下部电极和干刻设备,其中干刻设备的下部电极包括:电极铝材层、位于电极铝材层上的氧化铝陶瓷层、以及位于氧化铝陶瓷层上的多个压纹点,电极铝材层内具有容纳冷媒的冷媒管道,氧化铝陶瓷层与多个压纹点之间设有电阻丝。在干法刻蚀过程中,需要控制干刻设备的下部电极在一定温度下工作,本实用新型提供的干刻设备的下部电极,在使用过程中,当干刻设备的下部电极温度过低时,通过控制通入电阻丝中的电流的大小,来控制电阻丝产生的热量,进而提高干刻设备的下部电极的温度。所以,本实用新型提供的干刻设备的下部电极,便于精确控制温度。 | ||
搜索关键词: | 一种 设备 下部 电极 | ||
【主权项】:
一种干刻设备的下部电极,包括:电极铝材层、位于所述电极铝材层上的氧化铝陶瓷层、以及位于所述氧化铝陶瓷层上的多个压纹点,所述电极铝材层内具有容纳冷媒的冷媒管道,其特征在于,所述氧化铝陶瓷层与所述多个压纹点之间设有电阻丝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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