[实用新型]一种全覆盖铝背电场的P型晶硅太阳电池有效

专利信息
申请号: 201320371982.6 申请日: 2013-06-26
公开(公告)号: CN203312315U 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 田莉 申请(专利权)人: 湖南工程学院
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 湘潭市汇智专利事务所 43108 代理人: 宋向红
地址: 411104 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型涉及一种全覆盖铝背电场的P型晶硅太阳电池。本实用新型包括单晶或者多晶硅片,以及其上印刷的银正电极,其特点是:在硅片背面印刷有铝背主栅线,在铝背主栅线上印刷有银背主栅线或者银铝背主栅线,银背主栅线或者银铝背主栅线印刷在铝背主栅线内;在铝背主栅线以外的硅片背面上印刷有铝背电极,铝背电极边缘与铝背主栅线边缘重叠,使烧结后的硅片背面上全部覆盖有铝的铝背电场。本实用新型解决了铝背电场漏电通道和背主栅线位置存在铝背电场缺失的问题,减少了背表面载流子复合,提高了太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 覆盖 电场 型晶硅 太阳电池
【主权项】:
一种全覆盖铝背电场的P型晶硅太阳电池,包括单晶或者多晶硅片,以及其上印刷的银正电极,其特征在于:在硅片背面印刷有铝背主栅线,在铝背主栅线上印刷有银背主栅线或者银铝背主栅线,银背主栅线或者银铝背主栅线印刷在铝背主栅线内;在铝背主栅线以外的硅片背面上印刷有铝背电极,铝背电极边缘与铝背主栅线边缘重叠,使烧结后的硅片背面上全部覆盖有铝的铝背电场。
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