[实用新型]一种铌酸锂调制器有效
申请号: | 201320360455.5 | 申请日: | 2013-06-21 |
公开(公告)号: | CN203287647U | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 王定理;赵明璐;徐晓辉;凌九红 | 申请(专利权)人: | 武汉光迅科技股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/035 | 分类号: | G02F1/035 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
地址: | 430205 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种铌酸锂调制器,包括金属的管壳(1)、铌酸锂的光波导芯片(5),管壳(1)底部设置有凸台(14),凸台(14)上设置有凹槽(6),凹槽(6)里粘接有过渡热沉(2),所述过渡热沉(2)为铌酸锂,过渡热沉(2)上粘接有光波导芯片(5),过渡热沉(2)的晶向与光波导芯片(5)的晶向完全一致;采用本实用新型装置,通过在金属管壳与铌酸锂光波导芯片间增加一铌酸锂过渡热沉,可以有效的提高铌酸锂光波导芯片在宽温度范围下的可靠性,其结构简单,成本低,效果好。 | ||
搜索关键词: | 一种 铌酸锂 调制器 | ||
【主权项】:
一种铌酸锂调制器,包括金属的管壳(1)、铌酸锂的光波导芯片(5),其特征在于:管壳(1)底部设置有凸台(14),凸台(14)上设置有凹槽(6),凹槽(6)里粘接有过渡热沉(2),所述过渡热沉(2)为铌酸锂,过渡热沉(2)上粘接有光波导芯片(5),过渡热沉(2)的晶向与光波导芯片(5)的晶向完全一致。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光迅科技股份有限公司,未经武汉光迅科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320360455.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。