[实用新型]高压功率器件用极厚外延片有效
| 申请号： | 201320347279.1 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN203377215U | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王浩;邹崇生 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高压功率器件用极厚外延片，包括衬底和外延层，其特征在于，所述衬底为6寸以上，所述外延层厚度为100μm以上。本实用新型可以有效的解决在大量的工业连续生产过程中大尺寸极厚外延在外延后晶片碎裂、边缘压痕、长晶大缺陷、厚度均匀性和电阻率均匀性差的问题，以满足器件设计后道对外延片边缘和晶片表面的需求，并且，本实用新型所涉及的极厚外延片可以被广泛应用于高压功率器件，所承受的电压可以高达1900V，目前，在国内，此极厚外延及所承受的高电压属于零的突破。按照本实用新型中的制造方法生产的用于高压功率器件的极厚外延片，厚度非均匀性可降低至2.03%。电阻率非均匀性可降低至4.24%。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 功率 器件 用极厚 外延 | ||
【主权项】：
高压功率器件用极厚外延片，包括衬底和外延层，其特征在于，所述衬底为6寸以上，所述外延层厚度为100μm以上；所述外延层的厚度非均匀性小于等于5%；所述外延层的电阻非均匀性小于等于5%。
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