[实用新型]用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底有效
| 申请号： | 201320305245.6 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN203300652U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王俊龙;冯志红;邢东;梁士雄;张立森;杨大宝;张雄文;宋旭波;何泽召;蔚翠 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本实用新型包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本实用新型给出的在半绝缘衬底背面制作多孔结构，可以大幅降低肖特基二极管的寄生电容，提高肖特基二极管的截止频率，同时也可以增加肖特基二极管的散热能力，提高肖特基二极管用于倍频时的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 赫兹 肖特基 二极管 多孔 衬底 | ||
【主权项】：
一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，其特征在于包括半绝缘衬底（1），在所述半绝缘衬底（1）的背面设有两个以上的空气孔（2），所述空气孔（2）的深度小于半绝缘衬底（1）的厚度。
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