[实用新型]一体型气相掺杂装置

摘要

本实用新型所述的一种一体型气相掺杂装置，是用于直拉法生产易挥发掺杂元素单晶硅生产过程中砷、磷等元素的掺杂，该掺杂装置主要由上部挂件（1）、中部空腔（2）、掺杂导管（5）、石英罩（7）构成；中部空腔（2）内设有一个掺杂导管（5），通过掺杂导管（5）将掺杂元素（4）装入中部空腔（2）内，中部空腔（2）的下端设有与掺杂导管（5）连在一起的石英罩（7）可起到保护硅熔体溅起破坏或污染热屏的作用，同时也可起到阻止掺杂元素（4）的蒸气被真空泵抽走的作用。使用本实用新型，增加了掺杂元素（4）与熔硅的接触时间，提高了掺杂效率，操作方便，安全性能好，克服了现有技术中气相掺杂效率低、掺杂装置易损坏的问题。

主权项

一体型气相掺杂装置，其特征是：所述的一体型气相掺杂装置主要是由上部挂件（1）、中部空腔（2）、掺杂导管（5）、石英罩（7）构成；其中上部挂件（1）设置在中部空腔（2）的上端与单晶炉上轴连接，掺杂导管（5）的上部设置在中部空腔（2）内，下部连接有石英罩（7）。