[实用新型]带有底栅控电极的平面电子发射光探测器有效

专利信息
申请号: 201320267105.4 申请日: 2013-05-16
公开(公告)号: CN203339201U 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 王琦龙;娄朝刚;张晓兵;雷威;翟雨生 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L31/113 分类号: H01L31/113
代理公司: 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 代理人: 齐旺
地址: 211118 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本实用公开了一种带有底栅控电极的平面电子发射光探测器,利用光的场特性和隧穿电子发射来实现光电转换和光信号探测,其包括衬底(1)、平面型电子发射体(2)、底栅控电极(3)、电子收集极(4)、SiO2绝缘隔离层(5)、真空封装套件(6)和入射窗(7)。入射光由入射窗(7)进入,在入射光的电场分量作用下,具有低逸出功的平面型电子发射体(2)内的费米能级电子发生隧穿效应,在其外表面形成电子云,并在施加在底栅控电极(3)和电子收集极(4)上的偏置电压的作用下向收集极运动,隧穿电流大小与入射光电场分量大小有关,而入射光强与电场分量模的平方成正比,因此实现了有效的光探测。
搜索关键词: 有底 电极 平面 电子 发射 探测器
【主权项】:
一种带有底栅控电极的平面电子发射光探测器,其包括:衬底(1)、平面型电子发射体(2)、底栅控电极(3)、电子收集极(4)、SiO2绝缘隔离层(5)、真空封装套件(6)和入射窗(7);其特征在于:在所述衬底(1)上利用薄膜工艺制备金属底栅控电极(3),电极材料为贵金属材料或普通金属材料,在其上方利用电子束蒸发、等离子增强化学气相沉积或磁控溅射的方法制备SiO2绝缘隔离层(5),在隔离层的上方同样采用薄膜工艺制备电子收集极(4),与电子收集极(4)相对的位置制备平面型电子发射体(2),利用真空封装套件(6)和入射窗(7)将其他组件实现真空封装。
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