[实用新型]带有底栅控电极的平面电子发射光探测器有效
申请号: | 201320267105.4 | 申请日: | 2013-05-16 |
公开(公告)号: | CN203339201U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 王琦龙;娄朝刚;张晓兵;雷威;翟雨生 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113 |
代理公司: | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人: | 齐旺 |
地址: | 211118 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用公开了一种带有底栅控电极的平面电子发射光探测器,利用光的场特性和隧穿电子发射来实现光电转换和光信号探测,其包括衬底(1)、平面型电子发射体(2)、底栅控电极(3)、电子收集极(4)、SiO2绝缘隔离层(5)、真空封装套件(6)和入射窗(7)。入射光由入射窗(7)进入,在入射光的电场分量作用下,具有低逸出功的平面型电子发射体(2)内的费米能级电子发生隧穿效应,在其外表面形成电子云,并在施加在底栅控电极(3)和电子收集极(4)上的偏置电压的作用下向收集极运动,隧穿电流大小与入射光电场分量大小有关,而入射光强与电场分量模的平方成正比,因此实现了有效的光探测。 | ||
搜索关键词: | 有底 电极 平面 电子 发射 探测器 | ||
【主权项】:
一种带有底栅控电极的平面电子发射光探测器,其包括:衬底(1)、平面型电子发射体(2)、底栅控电极(3)、电子收集极(4)、SiO2绝缘隔离层(5)、真空封装套件(6)和入射窗(7);其特征在于:在所述衬底(1)上利用薄膜工艺制备金属底栅控电极(3),电极材料为贵金属材料或普通金属材料,在其上方利用电子束蒸发、等离子增强化学气相沉积或磁控溅射的方法制备SiO2绝缘隔离层(5),在隔离层的上方同样采用薄膜工艺制备电子收集极(4),与电子收集极(4)相对的位置制备平面型电子发射体(2),利用真空封装套件(6)和入射窗(7)将其他组件实现真空封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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