[实用新型]一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管有效
| 申请号： | 201320264132.6 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN203242632U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张雷;乔宇波;梁明 | 申请（专利权）人： | 深圳市盛元半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管，包括集电极引出层、N+衬底层、N+导电层、N-导电层、U型槽、氧化层以及发射极引出层，所述集电极引出层、N+衬底层、N+导电层、N-导电层依次相连、所述N-导电层上设有U型槽，所述U型槽内注有B形成P+扩散层，所述N-导电层、U型槽上设有氧化层，氧化层上设有发射极引出层，所述U型槽还同发射极引出层相连。与传统技术相比，本实用新型为终端客户节约了成本，并同时增加了器件集成度，简化了应用电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ce 集成 二极管 改进型 槽型联栅 晶体管 | ||
【主权项】：
一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管，包括集电极引出层、N+衬底层、N+导电层、N‑导电层、U型槽、氧化层以及发射极引出层，其特征是：所述集电极引出层、N+衬底层、N+导电层、N‑导电层依次相连、所述N‑导电层上设有U型槽，所述U型槽内注有B形成P+扩散层，所述N‑导电层、U型槽上设有氧化层，氧化层上设有发射极引出层，所述U型槽还同发射极引出层相连。
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