[实用新型]半导体器件有效
申请号: | 201320239768.5 | 申请日: | 2013-04-24 |
公开(公告)号: | CN203277374U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 木原崇雄 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L23/522 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种半导体器件,具有:包含金属布线(ML1)而形成的旋涡线状电感器(20);和包含金属布线(ML1)而形成的马蹄状电感器(10)。马蹄状电感器(10)以使其开口部位于旋涡线状电感器(20)的相反侧的方式配置。因此,能够尽可能地减小从发送部输出的无用波(杂波)。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,具有:包含第1导体层而形成的旋涡线状的第1电感器;和包含所述第1导体层而形成的马蹄状的第2电感器,所述第2电感器以使其开口部位于所述第1电感器的相反侧的方式配置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320239768.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:场效应晶体管及用于场效应晶体管的边缘结构
- 下一篇:光罩盒