[实用新型]一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件有效
| 申请号： | 201320222718.6 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN203242631U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张世勇;胡强;樱井建弥 | 申请（专利权）人： | 中国东方电气集团有限公司;江苏华创光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610036 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及电力电子技术领域的半导体器件，具体为一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件，包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第二导电类型深扩散区，所述第二导电类型深扩散区呈“凹”形，本实用新型的双极晶体管器件在结构上增加了绝缘侧壁,器件结构是完全对准的，工艺步骤能得到减少,因为绝缘侧壁的存在，N+发射区和电极孔不需要光刻,所以能够节省掉电极孔和N+发射区光刻需要的步骤，能够减少窗口的宽度,缩小窗口的宽度带来的另一个效果是增加了多晶栅和多晶窗口的面积之比，这样带来的效果是IGBT的导通压降Vce（sat）能够减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 绝缘 双极晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件，其特征在于：包括第一导电类型衬底（110），第一导电类型衬底（110）的第一主面内设有第二导电类型基区（120），第二导电类型基区（120）内设有第二导电类型深扩散区（130），所述第二导电类型深扩散区（130）呈“凹”形，第二导电类型基区（120）内设有第一导电类型发射区（140），第一导电类型发射区（140）分别设置在第二导电类型深扩散区（130）“凹”型的两凸起部分上，每个第一导电类型发射区（140）的第一主面上设有栅极绝缘层（160），栅极绝缘层（160）上设有多晶硅栅层（170），多晶硅栅层（170）上设有第二绝缘层（180），多晶硅栅层（170）两侧设有绝缘侧壁（190）、第一导电类型衬底（110）的第二主面内设有第二导电类型集电区（150）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国东方电气集团有限公司;江苏华创光电科技有限公司，未经中国东方电气集团有限公司;江苏华创光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320222718.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管
- 下一篇：光源组件
- 同类专利
- 专利分类
