[实用新型]光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池有效
申请号: | 201320211259.1 | 申请日: | 2013-04-24 |
公开(公告)号: | CN203288603U | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 许志龙;皮钧;刘菊东;黄种明;杨小璠;任永臻;侯达盘;刘伟钦;林忠华 | 申请(专利权)人: | 集美大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 朱凌 |
地址: | 361021 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池,它包括光面晶体硅、氧化膜钝化层、高透陷光膜;所述的高透陷光膜、氧化膜钝化层、光面晶体硅由上至下层叠,其折射率由上至下梯度增大;所述的氧化膜钝化层溅射于光面晶体硅的朝阳面上,所述的高透陷光膜复合在氧化膜钝化层上。本实用新型通过选取合适的高透陷光膜、氧化膜钝化层材质,优化高透陷光膜、氧化膜钝化层与光面晶体硅的折射率,可提高晶体硅对太阳光高效吸收而不产生晶体硅高温扩散不一致、晶格位错缺陷、接触电阻增大等不利影响,且制造简单,成本低。 | ||
搜索关键词: | 光面 晶体 陷光膜 复合 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种光面晶体硅‑陷光膜复合太阳能电池,其特征在于:它包括光面晶体硅、氧化膜钝化层、高透陷光膜;所述的高透陷光膜、氧化膜钝化层、光面晶体硅由上至下层叠,其折射率由上至下梯度增大;所述的氧化膜钝化层溅射于光面晶体硅的朝阳面上,所述的高透陷光膜复合在氧化膜钝化层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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