[实用新型]光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201320211259.1 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN203288603U 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 许志龙;皮钧;刘菊东;黄种明;杨小璠;任永臻;侯达盘;刘伟钦;林忠华 申请(专利权)人: 集美大学
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0352
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人: 朱凌
地址: 361021 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型公开了光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池,它包括光面晶体硅、氧化膜钝化层、高透陷光膜;所述的高透陷光膜、氧化膜钝化层、光面晶体硅由上至下层叠,其折射率由上至下梯度增大;所述的氧化膜钝化层溅射于光面晶体硅的朝阳面上,所述的高透陷光膜复合在氧化膜钝化层上。本实用新型通过选取合适的高透陷光膜、氧化膜钝化层材质,优化高透陷光膜、氧化膜钝化层与光面晶体硅的折射率,可提高晶体硅对太阳光高效吸收而不产生晶体硅高温扩散不一致、晶格位错缺陷、接触电阻增大等不利影响,且制造简单,成本低。
搜索关键词: 光面 晶体 陷光膜 复合 太阳能电池
【主权项】:
一种光面晶体硅‑陷光膜复合太阳能电池,其特征在于:它包括光面晶体硅、氧化膜钝化层、高透陷光膜;所述的高透陷光膜、氧化膜钝化层、光面晶体硅由上至下层叠,其折射率由上至下梯度增大;所述的氧化膜钝化层溅射于光面晶体硅的朝阳面上,所述的高透陷光膜复合在氧化膜钝化层上。
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