[实用新型]一种薄膜晶体管和阵列基板有效
| 申请号： | 201320209102.5 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN203205427U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李琳;郝昭慧;张明 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种薄膜晶体管和阵列基板。用以解决现有TFT结构在出现不良现象后无法维修正常的问题，提供一种TFT当其在出现不良时，维修后可正常工作。本实用新型所述薄膜晶体管包括：栅极、半导体层、源极和漏极；所述源极和漏极同层设置，所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间；所述栅极与所述半导体层相绝缘；其中，所述源极为U形；所述漏极包括呈直线形的第一漏电极，该第一漏电极位于该U形源极的缺口中沿与所述U形源极的底部最低点的切线相平行的方向设置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极、半导体层、源极和漏极；所述源极和漏极同层设置，所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间；所述栅极与所述半导体层相绝缘；其中，所述源极为U形；所述漏极包括呈直线形的第一漏电极，该第一漏电极位于该U形源极的缺口中沿与所述U形源极的底部最低点的切线相平行的方向设置。
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