[实用新型]半导体器件有效
申请号: | 201320207929.2 | 申请日: | 2013-04-23 |
公开(公告)号: | CN203351587U | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 沈一权;俊谟具;P.C.马里穆图;林耀剑;林诗轩 | 申请(专利权)人: | 新科金朋有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/31;H01L25/00;H01L25/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马丽娜;刘春元 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 一种半导体器件,具有包括基底和从基底延伸的多个导电柱的衬底。该衬底可以是晶片形状、面板、或已单体化的形式。导电柱可以具有圆形、矩形、锥形、或中间变窄的形状。半导体管芯通过基底中的开孔被设置在导电柱之间。半导体管芯在导电柱上面延伸或者被设置在导电柱的下面。密封剂沉积在半导体管芯上并且围绕导电柱。基底和密封剂的一部分被去除以电隔离导电柱。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成互连结构。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成绝缘层。半导体封装设置在半导体管芯上并电连接到导电柱。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:包括多个导电柱的衬底;设置在导电柱之间的半导体管芯;沉积在半导体管芯上并且围绕导电柱的密封剂;和形成在半导体管芯、密封剂和导电柱上的互连结构。
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