[实用新型]一种湿法刻蚀机有效
申请号: | 201320194314.0 | 申请日: | 2013-04-16 |
公开(公告)号: | CN203179850U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 李建朋;吴成新;王海涛;王月超;王超 | 申请(专利权)人: | 天津英利新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 301510 天津市滨海新区津汉公*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种湿法刻蚀机,该湿法刻蚀机包括刻蚀槽、设置于刻蚀槽内的注液装置和与刻蚀槽通过挡板分隔的溢流槽,注液装置的侧壁开设有注液孔,药液通过注液孔注入刻蚀槽,该湿法刻蚀机还包括导气管,导气管的进气口设置于刻蚀槽内,且位于注液孔的上方,导气管的出气口设置于刻蚀槽内;这样,在向刻蚀槽中注入新鲜药液时,药液从注液装置的注液孔中流出,药液中的气泡从注液装置侧面的导气管排出进入溢流槽,从而能够在保证硅片刻蚀质量的情况下,减少气泡的产生,避免气泡飞溅,进而提高了硅片的合格率。 | ||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 | ||
【主权项】:
一种湿法刻蚀机,包括内置有注液装置(21)的刻蚀槽(22)和与所述刻蚀槽(22)通过挡板(23)分隔的溢流槽(24),所述注液装置(21)的侧壁开设有注液孔(26);其特征在于,还包括导气管(25),所述导气管(25)的进气口设置于所述注液装置(21)的腔体内,且位于所述注液孔(26)的上方,所述导气管(25)的出气口设置于所述刻蚀槽(22)内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造