[实用新型]Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料有效
| 申请号： | 201320174705.6 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN203218276U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 王经纬;巩锋;王丛;刘铭;强宇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 秦莹 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料。Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料由下到上依次包括：晶向为211的Si衬底、在Si衬底的表面上依次生长的砷As钝化层、碲化锌ZnTe缓冲层、碲化镉CdTe缓冲层、以及三层不同组份不同厚度的碲镉汞薄膜层。 | ||
| 搜索关键词： | si 长波 叠层双色碲镉汞 材料 | ||
【主权项】：
一种硅Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，所述Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料由下到上依次包括：晶向为211的Si衬底、在所述Si衬底的表面上依次生长的砷As钝化层、碲化锌ZnTe缓冲层、碲化镉CdTe缓冲层、以及三层不同组份不同厚度的碲镉汞薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
