[实用新型]一种快恢复二极管FRD芯片有效
| 申请号： | 201320168067.7 | 申请日： | 2013-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN203179900U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种快恢复二极管FRD芯片，该芯片包括芯片有源区和芯片终端保护区；所述芯片终端保护区包括位于所述芯片终端保护区底部的P型掺杂区，所述P型掺杂区与阴极电极接触，且所述P型掺杂区的结深小于位于所述芯片有源区的N+型阴极区的结深。该P型掺杂区在FRD正向导通时，对FRD终端保护区内的N-基区实现电子的零注入，大大减小了FRD终端保护区内的N-基区内的载流子浓度，在FRD关断时，整个N-基区内的载流子抽取速度将会加快，即关断时间得到减小，从而降低了关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 frd 芯片 | ||
【主权项】：
一种快恢复二极管FRD芯片，所述FRD芯片包括芯片终端保护区，其特征在于，所述芯片终端保护区包括位于所述芯片终端保护区底部的P型掺杂区，所述P型掺杂区与阴极电极接触，且所述P型掺杂区的结深小于N+型阴极区的结深。
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