[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320163013.1 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN203398105U | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 森凉;福冈一树;森野直纯;出口善宣 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张臻贤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：衬底，包括其中形成电路元件的电路区域；在衬底上形成的并且由层叠的多个布线层和多个过孔层组成的多层布线层；以及在多层布线层上形成的电极焊盘。在作为多个布线层中的顶层的第一布线层的区域中形成层间绝缘膜，在该区域中，电极焊盘和第一电路区域在电极焊盘的平面视图中相互重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：包括第一电路区域的衬底，在所述第一电路区域中形成第一电路元件；在所述衬底上形成的并且由层叠的多个布线层和多个过孔层组成的多层布线层；以及在所述多层布线层上形成的电极焊盘，其中，在作为所述多个布线层的顶层的第一布线层的区域中形成层间绝缘膜，在所述区域中，所述电极焊盘和所述第一电路区域在所述电极焊盘的平面视图中相互重叠。
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