[实用新型]一种高纯多晶硅制备装置有效

专利信息
申请号: 201320045774.7 申请日: 2013-01-29
公开(公告)号: CN203159237U 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 袁磊;张晓东;杨晓明 申请(专利权)人: 长沙隆泰微波热工有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410126 湖南省长沙市*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型公开了一种高纯多晶硅制备装置,包括反应单元、进料单元、加热单元、出料单元及测控单元。该进料单元设于该反应单元的顶部和底部,该加热单元设于该反应单元的侧壁,该出料单元设于该反应单元的底部和顶部,该测控单元设于该反应容器的侧壁和顶部。多晶硅颗粒料和硅烷气体由该进料单元进入该反应单元中,该加热单元产生微波并利用微波的穿透性加热与选择性加热的特点,对多晶硅颗粒进行快速、均匀的加热,使得硅烷气体分解产生的高纯多晶硅有效定向沉积,品质好;同时本实用新型利用微波加热使得硅烷气体在通过或接触多晶硅颗粒料时分解温度降低,反应转化效率也大幅提高,具有低能耗、低成本、生产效率高及污染小等优点。
搜索关键词: 一种 高纯 多晶 制备 装置
【主权项】:
一种高纯多晶硅制备装置,用于通过硅烷气体分解并在多晶硅颗粒料的表面沉积高纯多晶硅,其特征在于,包括:反应单元,所述反应单元包括反应容器,用于盛装所述多晶硅颗粒料;进料单元,所述进料单元设于所述反应容器的顶部和底部,用于供应所述硅烷气体及所述多晶硅颗粒料给所述反应容器;加热单元,所述加热单元设于所述反应容器的侧壁,所述加热单元包括微波发生器; 出料单元,所述出料单元设于所述反应容器的底部和顶部,用于反应完的所述多晶硅颗粒料及所述硅烷气体排出所述反应容器;测控单元,所述测控单元设于所述反应容器的侧壁和顶部,用于测量和控制所述多晶硅颗粒料料层的温度和高度;其中,所述微波发生器产生微波进入所述反应容器内,对所述多晶硅颗粒料进行加热,所述硅烷气体通过或接触所述多晶硅颗粒料并将分解生成的高纯多晶硅沉积于所述多晶硅颗粒料的表面。
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