[实用新型]一种抑制串扰的影像传感器有效
申请号: | 201320016605.0 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN203013728U | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 李平 | 申请(专利权)人: | 陆伟 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 200124 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种抑制串扰的影像传感器,包括载片、器件晶圆、光电二极管、高介电层,金属遮蔽层,所述器件晶圆的正面与载片相接触,所述器件晶圆的背面上有一层高介电层,所述金属遮蔽层位于高介电层上,所述金属遮蔽层上设有均匀连续的梯形凹槽,所述光电二极管内嵌于器件晶圆的背面且正对于梯形凹槽的下面,在金属遮蔽层的均匀连续的梯形凹槽的均匀连续的梯形凹槽的两个侧面上和两个凹槽的连接处淀积有一层高消光物质层,所述消光物质层的厚度范围为所述的消光物质层为氮化物,如氮氧化硅(SION),氮化硅(SiN),氮化钛(TiN),氮化钽(TaN)等。金属遮蔽层上淀积一层消光物质,解决了串扰问题的产生,提高了影像传感器的成像质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 抑制 影像 传感器 | ||
【主权项】:
一种抑制串扰的影像传感器,包括载片、器件晶圆、光电二极管、高介电层,金属遮蔽层,所述器件晶圆的正面与载片相接触,所述器件晶圆的背面上有一层高介电层,所述金属遮蔽层位于高介电层上,所述金属遮蔽层上设有均匀连续的梯形凹槽,所述光电二极管内嵌于器件晶圆的背面且正对于梯形凹槽的底部,其特征在于:在金属遮蔽层的均匀连续的梯形凹槽的两个侧面上和两个凹槽的连接处淀积有一层高消光物质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的