[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

本发明提供一种晶体管的形成方法，包括提供衬底，在所述衬底表面形成包括伪栅的伪栅结构，在衬底上形成层间介质层，在层间介质层上覆盖硬掩模层，在硬掩模层上形成光刻掩模层，并将光刻掩模层的图形转移到所述硬掩模层中，以在硬掩模层中形成露出伪栅的开口，去除光刻掩模层，以硬掩模层为掩模，采用脉冲等离子体刻蚀去除所述伪栅，在去除伪栅所形成的开口中形成金属栅极。在去除伪栅之前，先去除硬掩模层上方的光刻掩模层，使得伪栅结构上方只存在硬掩模层，在对伪栅结构中的伪栅进行干法刻蚀的过程中，伪栅表面的污染物较少，采用较低刻蚀强度的脉冲等离子体刻蚀即可将伪栅去除干净，避免了较高的刻蚀强度对层间介质层的损伤。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成多个包括伪栅的伪栅结构；在多个伪栅结构露出的衬底上形成与伪栅结构齐平的层间介质层；在所述层间介质层上覆盖硬掩模层；在硬掩模层上形成光刻掩模层，并将光刻掩模层的图形转移到所述硬掩模层中，以在所述硬掩模层中形成露出伪栅的开口；去除所述光刻掩模层；以所述硬掩模层为掩模，采用脉冲等离子体刻蚀去除所述伪栅；在去除伪栅所形成的开口中形成金属栅极。