[发明专利]含硅氧介质层及其表面处理方法、半导体器件及互连层在审
| 申请号： | 201310754122.5 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752195A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种含硅氧介质层及其表面处理方法、半导体器件及互连层。其中，含硅氧介质层的表面处理方法包括对含硅氧介质层进行UV处理，以除去含硅氧介质层中的残留有机物；以及对UV处理后的含硅氧介质层进行氧化处理，以氧化含硅氧介质层中的残留硅。该表面处理方法通过在形成含硅氧介质层的步骤后，增加对含硅氧介质层进行UV处理以及氧化处理步骤，从而去除了含硅氧介质层中缺陷，避免了由含硅氧介质层中缺陷造成的半导体器件稳定性下降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 含硅氧 介质 及其 表面 处理 方法 半导体器件 互连 | ||
【主权项】：
一种含硅氧介质层的表面处理方法，其特征在于，所述表面处理方法包括以下步骤：对所述含硅氧介质层进行UV处理，以除去所述含硅氧介质层中的残留有机物；以及对所述UV处理后的含硅氧介质层进行氧化处理，以氧化所述含硅氧介质层中的残留硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
