[发明专利]高次模同轴输出腔在审

专利信息
申请号: 201310750789.8 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN104752125A 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 张瑞;王勇 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: H01J23/36 分类号: H01J23/36
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李国华
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种高次模同轴输出腔,其具有广谱杂模抑制功能,由高次模同轴谐振腔、杂模抑制装置及输出波导组成。所述杂模抑制装置包括:衰减腔,其中置有微波吸收材料;径向波导,使所述高次模同轴谐振腔中的包括工作模式在内的所有模式向外传输,并且使除所述工作模式之外的其余模式即非工作模式传输进入所述衰减腔;以及扼流波导,其在与所述径向波导的连接处对所述工作模式形成等效短路,从而将所述工作模式限制在所述高次模同轴谐振腔内,使所述工作模式不能传输进入所述衰减腔。据此,能够在降低杂谱电平的同时,对工作模式不造成影响,使速调管在工作模式稳定运行。
搜索关键词: 高次模 同轴 输出
【主权项】:
一种可单模工作的高次模同轴输出腔,用于多注速调管,所述高次模同轴输出腔的特征在于,所述高次模同轴输出腔包括高次模同轴谐振腔、杂模抑制装置以及输出波导,所述杂模抑制装置包括:衰减腔,其中置有微波吸收材料;径向波导,使所述高次模同轴谐振腔中的包括工作模式在内的所有模式向外传输,并且使除所述工作模式之外的其余模式即非工作模式传输进入所述衰减腔;以及扼流波导,其在与所述径向波导的连接处对所述工作模式形成等效短路,从而将所述工作模式限制在所述高次模同轴谐振腔内,使所述工作模式不能传输进入所述衰减腔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电子学研究所;,未经中国科学院电子学研究所;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310750789.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top