[发明专利]阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201310750605.8 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103985714B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 丁洪 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L23/538;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制造方法,通过位于扫描线与数据线交叉处的过孔至少暴露出数据线段的一部分以及刻蚀阻挡图形一部分,连接线段通过所述过孔与所述数据线段电连接,由此实现了数据线和像素电极的分离,即使得数据线和像素电极不再位于同一层,从而便可同时满足公共电极和数据线之间的绝缘层较厚,而公共电极和像素电极之间的绝缘层较薄的结构需求。同时,通过刻蚀阻挡图形覆盖扫描线和数据线交叉处的扫描线,利用所述刻蚀阻挡图形作为掩膜保护所述扫描线,由此既能够保护所述扫描线,又能够简化工艺降低成本。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括:基板;位于所述基板上的第一导电层,所述第一导电层包括多条扫描线以及与所述多条扫描线绝缘交叉的多条数据线,每一数据线被所述多条扫描线分成多段,形成多个数据线段;位于所述第一导电层上的第一绝缘层;位于所述第一绝缘层上的刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡图形,所述刻蚀阻挡图形覆盖所述扫描线和数据线交叉处的扫描线;位于所述刻蚀阻挡层上的第二绝缘层;位于所述第二绝缘层上的第二导电层,所述第二导电层包括一个或者多个连接线段;其中,所述阵列基板还包括多个过孔,所述过孔位于所述扫描线与所述数据线交叉处,并至少暴露出所述数据线段的一部分以及所述刻蚀阻挡图形一部分,所述连接线段通过所述过孔与所述数据线段电连接;其中,所述扫描线与所述数据线交叉处具有两个所述过孔,其中一个过孔暴露出一数据线段的一部分以及所述刻蚀阻挡图形的一部分;另一个过孔暴露出另一数据线段的一部分以及所述刻蚀阻挡图形的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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