[发明专利]Ho及Tm、Cr、Yb共掺杂钽酸盐铌酸盐发光材料及其熔体法晶体生长方法无效
申请号: | 201310746241.6 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103710024A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 张庆礼;刘文鹏;窦仁勤;孙贵花;杨华军;孙敦陆;殷绍唐 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | C09K11/78 | 分类号: | C09K11/78;C30B29/30 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种Ho及Tm、Cr、Yb共掺杂钽酸盐铌酸盐发光材料及其熔体法晶体生长方法,该发光材料包括:1)Cr、Tm、Ho共掺杂的钽酸盐和铌酸盐;2)Tm、Ho掺杂的钽酸盐和铌酸盐;3)Ho掺杂的钽酸盐和铌酸盐;4)Yb、Ho掺杂的钽酸盐和铌酸盐;5)Yb、Tm、Ho掺杂的钽酸盐和铌酸盐;熔体法晶体生长方法如下:按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结或不经高温烧结,成为晶体生长的起始原料;生长起始原料放入坩埚加热充分熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长,获得其单晶。这些发光材料主要用作激光工作物质。 | ||
搜索关键词: | ho tm cr yb 掺杂 钽酸盐铌酸盐 发光 材料 及其 熔体法 晶体生长 方法 | ||
【主权项】:
Ho及Tm、Cr、Yb共掺杂钽酸盐铌酸盐发光材料,其特征在于包括:1)Cr、Tm、Ho共掺杂的钽酸盐和铌酸盐,分子式表示为CrxTmyHozREuRE′(1‑x‑y‑z‑u)MO4(下简记为CTH:RMO);2)Tm、Ho掺杂的钽酸盐和铌酸盐,分子式表示为TmyHozREuRE′(1‑y‑z‑u)MO4(下简记为Tm,Ho:RMO);3)Ho掺杂的钽酸盐和铌酸盐,分子式表示为HozREuRE′(1‑z‑u)MO4(下简记为Ho:RMO);4)Yb、Ho掺杂的钽酸盐和铌酸盐,分子式表示为YbvHozREuRE′(1‑v‑z‑u)MO4(下简记为Yb,Ho:RMO);5)Yb、Tm、Ho掺杂的钽酸盐和铌酸盐,分子式表示为YbvTmyHozREuRE′(1‑y‑z‑u‑v)MO4(下简记为YTH:RMO);上述分子式中RE、RE′代表Sc、Y、La、Gd、Lu,且同一化合物中RE≠RE′,M代表Ta、Nb,x、y、z、u、v的取值范围为:0
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