[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201310745754.5 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752179A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 高汉杰;赵杰;宋伟基 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件的形成方法中，在位于半导体衬底的栅极凹槽内，由下至上依次形成栅介质层、HK层、功函数层后，在所述功函数层上方，以及栅极凹槽的侧壁形成第一扩散阻挡层，之后在所述第一扩散阻挡层上形成填充满所述栅极凹槽的金属材料层，以形成金属栅极。在上述技术方案中，形成的金属栅极中，所述第一扩散阻挡层包裹住所述金属材料层，从而可有效抑制所述金属材料层中的金属原子扩散至金属栅极的其他部分，从而避免基于所述金属原子扩散而导致金属栅极整体功函数下降的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于：包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内开设有栅极凹槽；在所述栅极凹槽内，位于所述半导体衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成HK层；在所述HK层上形成功函数层；在所述功函数层上，以及所述栅极凹槽的侧壁上形成第一扩散阻挡层；向所述第一扩散阻挡层上形成金属材料层，所述金属材料层填充满所述栅极凹槽，形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
