[发明专利]去气腔室有效
| 申请号： | 201310745435.4 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104746008A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张风港;文莉辉 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种去气腔室，包括腔室上盖、真空腔室和加热基座，腔室上盖与真空腔室围成封闭空间，加热基座设置于真空腔室内，去气腔室还包括进气管，进气管连接并贯穿加热基座的内部；其通过将进气管设置在加热基座的内部，在晶片背面充入气体，对晶片进行去气工艺，避免了对整个真空腔室充气的过程，减少了晶片在真空腔室的时间，从而缩短了工艺时间，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 去气腔室 | ||
【主权项】：
一种去气腔室，包括腔室上盖、真空腔室和加热基座，腔室上盖与真空腔室围成封闭空间，加热基座设置于真空腔室内，其特征在于：还包括进气管，所述进气管连接并贯穿所述加热基座的内部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310745435.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：面板对位调节装置及其对位方法
- 下一篇：调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺
- 同类专利
- 专利分类
