[发明专利]魔帝兜兰盆花生产方法有效
申请号: | 201310742586.4 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN103703994A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 郑勇平;张阳;王越;苏烨琴;袁稳 | 申请(专利权)人: | 浙江森禾种业股份有限公司 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 吴秉中 |
地址: | 310007 浙江省杭州市江干区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 魔帝兜兰盆花生产方法,属于植物栽培技术领域。其特征在于包括以下步骤:1)基础设施建设;2)炼苗;3)移栽;4)小苗期养护管理;5)中、大苗期养护管理;6)成熟催花期管理;7)花期管理。上述魔帝兜兰盆花生产方法,将魔帝兜兰的组培苗通过炼苗移栽、苗期管理、花期管理以及病虫害防治等技术调控,实现魔帝兜兰盆花的规模化、产业化生产,具有操作简单、周期短等优点。 | ||
搜索关键词: | 兜兰 盆花 生产 方法 | ||
【主权项】:
魔帝兜兰盆花生产方法,其特征在于包括以下步骤:1)基础设施建设:建造保温、抗灾害的温室,配备栽培床架、降温加温设备、催花设备、内循环风扇、防虫网及遮阳系统;防虫网孔径为0.425‑0.450mm;遮阳网为双层,上层遮光率70‑75%,下层遮光率70‑75%;2)炼苗:组培苗出瓶前在栽培场地驯化10‑15天,以适应栽培场地的光温条件,驯化不打开瓶盖,避免染菌;3)移栽:根据各地气候特征,选择适宜的出瓶时间;从组培瓶中取出组培苗,用清水洗净根部培养基,尽快栽入栽培杯,栽培深度以基质完全遮盖根系为度,栽培杯需留出上部约1/5‑1/4空间;栽植好后,放置到栽培架,立即充分淋水,以栽培杯内培养基质充分清洗为度;加强通风,缩短叶面水分滞留时间; 4)小苗期养护管理:出瓶移栽后的12个月为小苗期;栽植后1个月内每天在叶面喷洒清水1‑2次,干燥季节喷洒清水2‑3次,维持湿度在80‑90%;1个月后,当植材7成干时以清水充分浇透栽培基质,施肥以叶面喷洒为主,栽植3‑5天后可开始喷肥;栽植3个月后新根长出时可开始浇灌肥料,第一周光照强度控制在4500‑5500lux左右,之后慢慢增强光照;三个月后强度控制在11000‑13000lux左右,湿度80‑85%,温度22℃‑28℃;5)中、大苗期养护管理:小苗栽植12个月后,可见根系发育良好,新根生长正常,并产生2‑3片新叶,便可以更换大的栽培杯;换杯后的10个月为中、大苗期,换杯后立即以清水充分浇灌,将盆内粉尘完全冲洗干净,平时需保持栽培基质湿润,植材在5成干时用清水充分浇透栽培基质,但应避免叶面长时间水分滞留;换盆一个月后可开始施肥,用2000‑3000倍浓度浇灌栽培杯,灌满为度,每浇两次清水后施肥一次;光照强度维持在11000‑13000lux,湿度80‑85%,夜温16℃‑22℃,日温不超过28℃; 6)成熟催花期管理:经过中、大苗期的养护管理,植株完成营养生长,已经成熟,可以开始运用催花技术催花,促其花芽分化,形成花苞;初期使用N:P:K为9:45:15的花多多肥料3000倍浇3次,花多多微肥6000倍浇1次,每次施肥后浇2次清水;增加光照强度至15000‑18000lux,湿度在90%以上,夜温16~20℃,日温保持在28℃以下;通过控制上述条件使兜兰由营养生长转化为生殖生长;7)花期管理:当花苞出现花梗抽出约10‑12cm时,停止肥料供应,增加浇水频率,应避免过湿和直接喷水到花芽上;湿度保持在90%以上,光照强度降低至11000‑12000lux,夜温16~20℃,日温维持28℃以下,选择适当长度鐡线牵引花梗,避免花茎倒伏或弯曲。
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