[发明专利]电化隔离元件及其制造方法有效
申请号: | 201310740369.1 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103915409A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 许伟展;吴立德;石正枫 | 申请(专利权)人: | 新能微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/49;H01L21/60 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 石海霞;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种电化隔离元件及其制造方法。上述电化隔离元件包括导线架,其包括第一裸片座、第一导脚和第二导脚;基板,设置于第一裸片座上;高压半导体电容,形成于基板上,其中高压半导体电容包括内连线结构,包括金属层间介电层结构;彼此隔开的第一电极板、第二电极板和第三电极板,位于金属层间介电层结构上,其中第一电极板、第二电极板和与第一电极板、第二电极板重叠的金属层间介电层结构的第一部分构成第一电容,其中第一电极板、第三电极板和与第一电极板、第三电极板重叠的金属层间介电层结构的第二部分构成第二电容。本发明实施例的电子裸片可以在不增加金属层间介电层结构厚度的条件下提升电子裸片的崩溃电压。 | ||
搜索关键词: | 电化 隔离 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电化隔离元件,包括:一导线架,其包括一第一裸片座、一第一导脚和一第二导脚;一基板,设置于该第一裸片座上;一高压半导体电容,形成于该基板上,其中该高压半导体电容包括:一内连线结构,包括:一金属层间介电层结构;以及彼此隔开的一第一电极板、一第二电极板和一第三电极板,位于该金属层间介电层结构上,其中该第一电极板、该第二电极板和与该第一电极板、该第二电极板重叠的该金属层间介电层结构的一第一部分构成一第一电容,以及其中该第一电极板、该第三电极板和与该第一电极板、该第三电极板重叠的该金属层间介电层结构的一第二部分构成一第二电容;一第一焊线,电性连接至该第二电极板和该第一导脚;一第二焊线,电性连接至该第三电极板和该第二导脚;以及一成型材质,包裹该高压电容裸片、该第一裸片座、该第一焊线和该第二焊线。
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