[发明专利]一种具有小尺寸间隙的反射镜平坦化方法在审
| 申请号： | 201310740270.1 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752194A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 李海艇;叶菲;周强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有小尺寸间隙的反射镜平坦化方法，包括：在基底上形成彼此之间具有间隙的多个反射镜；在所述基底上沉积第一氧化物层，以填充所述间隙；去除位于所述反射镜表面上的所述第一氧化物层，同时在所述间隙中剩余部分所述第一氧化物层；在所述基底上沉积第二氧化物层，以完全填充所述间隙；平坦化所述第二氧化物层至露出所述反射镜表面；其中所述第一氧化物层相比于所述第二氧化物层具有更好的填充性。本发明在填充反射镜间隙时，先淀积SATEOS，然后无光栅刻蚀，反射镜上面全部刻蚀完，而间隙里剩一小部分SATEOS，然后再淀积HDP工艺的二氧化硅。这样就大大的降低了间隙的深宽比，有效地避免了HDP工艺淀积的二氧化硅空洞的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 尺寸 间隙 反射 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种具有小尺寸间隙的反射镜平坦化方法，包括：在基底上形成彼此之间具有间隙的多个反射镜；在所述基底上沉积第一氧化物层，以填充所述间隙；去除位于所述反射镜表面上的所述第一氧化物层，同时在所述间隙中剩余部分所述第一氧化物层；在所述基底上沉积第二氧化物层，以完全填充所述间隙；平坦化所述第二氧化物层至露出所述反射镜表面；其中所述第一氧化物层相比于所述第二氧化物层具有更好的填充性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
