[发明专利]一种增强型器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种增强型器件的制造方法，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上沉积氮化物沟道层，氮化物沟道层上定义有栅极区、源极区和漏极区，所述氮化物沟道层上的栅极区形成有至少一个非平面结构；在所述氮化物沟道层上沉积氮化物势垒层，氮化物势垒层形成有至少一个非平面结构；在所述氮化物势垒层上形成栅极、源极和漏极。本发明不需要对氮化物势垒层做刻蚀，避免了有源区的损伤带来的器件性能下降，比如说低电流密度或者电流崩塌等效应。另外，也不需要用到引入Mg原子实现p型氮化物，避免了对MOCVD或者MBE腔体的污染。

主权项

一种增强型器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：S1、提供一衬底；S2、在所述衬底上沉积氮化物沟道层，所述氮化物沟道层上定义有栅极区、源极区和漏极区，所述氮化物沟道层的栅极区形成有至少一个非平面结构；S3、在所述氮化物沟道层上沉积氮化物势垒层，所述氮化物势垒层形成有至少一个非平面结构，形成氮化物沟道层/氮化物势垒层异质结，所述非平面结构处存在氮化物的非极性面或半极性面或其组合，氮化物沟道层/氮化物势垒层异质结沟道中的二维电子气至少部分形成中断；S4、在所述氮化物势垒层上形成栅极、源极和漏极，栅极、源极和漏极分别位于氮化物沟道层上栅极区、源极区和漏极区的上方，所述栅极位于源极和漏极之间。