[发明专利]防止反应腔室内发生打火的沉积方法及反应腔室在审
| 申请号： | 201310738004.5 | 申请日： | 2013-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104746024A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 侯珏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种防止反应腔室内发生打火的沉积方法及反应腔室，反应腔室内设置有卡盘和压环，卡盘用于承载基片，压环的内周壁上设置有多个压爪，每个压爪的下表面叠置在基片的上表面的边缘区域，用于将基片固定在卡盘上，且每个压爪靠近基片中心区域的部分下表面与基片的上表面存在间距，防止反应腔室内发生打火的沉积方法包括步骤S1，在高气压值的反应腔室内，预先在预设时间内对基片沉积薄膜，以使金属原子和金属离子进入压爪部分下表面与基片上表面的间距形成的间隙内，实现压爪与基片相连通。本发明提供的防止反应腔室内发生打火的沉积方法，可以同时避免压爪与基片发生粘片和反应腔室内发生打火现象，从而可以提高反应腔室内工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 反应 室内 发生 打火 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种防止反应腔室内发生打火的沉积方法，其特征在于，所述反应腔室内设置有卡盘和压环，所述卡盘用于承载基片，所述压环的内周壁上设置有多个压爪，每个所述压爪的下表面叠置在所述基片的上表面的边缘区域，用于将所述基片固定在所述卡盘上，且每个所述压爪靠近所述基片中心区域的部分下表面与所述基片的上表面存在间距；所述防止反应腔室内发生打火的沉积方法包括步骤S1，在高气压值的所述反应腔室内，预先在预设时间内对所述基片沉积薄膜，以使金属原子和金属离子进入所述压爪部分下表面与所述基片上表面的间距形成的间隙内，实现所述压爪与所述基片相连通。
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