[发明专利]一种忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 201310733846.1 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752608A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿滨;屠海令;魏峰;张艳;杜军 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司11100 | 代理人： | 刘秀青,熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种忆阻器及其制备方法。该忆阻器包括顶电极和底电极，顶电极与底电极之间设有单晶氧化铈存储介质层。其制备方法包括(1)衬底清洗；(2)利用刻蚀技术在衬底上直接形成底电极；(3)利用外延技术在底电极上外延单晶CeO2薄膜作为阻变功能层材料；(4)在单晶CeO2薄膜上面形成顶电极。本发明的忆阻器具有高的耐久性、低的操作电压、好的数据保持能力以及免激活特性。本发明的忆阻器具有制备方法简单、成本低并且与传统的CMOS工艺相兼容等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种忆阻器，其特征在于，包括顶电极和底电极，顶电极与底电极之间设有单晶氧化铈存储介质层。
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