[发明专利]一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置及方法

摘要

本发明公开了一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置，包括石英缸、在石英缸内装有电镀液，在电镀液中放置两块通过导线连接的金板，在两块金板的之间固定一块硅片，在硅片的正面与反面之间设有通孔，在两块金板之间还设有磁力搅拌棒，金板与硅片分别与直流电源连接，其中直流电源的阳极与金板连接，直流电源的阴极与硅片连接。本发明还提供了一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金方法。本发明中电镀金装置的阳极采用两块对称的金板组成，同时采用磁力搅拌棒进行顺时针、逆时针定时双向运动，搅拌电镀液，使得电镀液分布均匀，通孔附近的电镀液得到及时补充，能实现一定厚度的硅片的正面、背面及通孔的均匀电镀；有效提高电镀的均匀性及效率。

主权项

一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金方法：其特征在于：包括以下步骤：步骤1：在化学电镀之前，采用溅射的方法在硅片的正、反面及通孔的侧壁上沉积一层金属种子层，金属为金或铜；步骤2：在石英缸中放入电镀液，并将两块金板用导线连接后固定在电镀液中；步骤3：将沉积后的硅片固定在两块金板的之间，将直流电源的阴极与硅片连接，将直流电源的阳极与金板连接；步骤4：将磁力搅拌棒固定在两块金板之间，并将直流电源接通同时打开磁力搅拌棒的电源；步骤5：磁力搅拌棒开始顺时针和逆时针定时切换旋转，硅片的正面、背面及通孔的上的金络离子不断地增加直至完成电镀 。