[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310731042.8 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752514B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 顾维杰;蔡世星 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明所述的一种薄膜晶体管，包括衬底，沿衬底垂直方向，依次在衬底上形成的栅极层、栅极绝缘层、半导体层和源/漏电极层，半导层在衬底上的投影落入栅极层在衬底上的投影区域范围内；在栅极绝缘层中留出可修复区域并进行修复处理，可促使栅极绝缘层中缺陷态捕获的电荷释放出来，修复缺陷态，提高栅极绝缘层性能，从而使得薄膜晶体管特性有所改善，提高薄膜晶体管的使用性能。同时，本发明所述的一种薄膜晶体管的制备方法，在半导体层图案化的过程中，使得半导层在衬底上的投影落入栅极层在衬底上的投影区域范围内，采用钝化工艺对栅极绝缘层暴露部分进行修复处理，即可实现薄膜晶体管特性的改善，制备工艺简单、成本低、易实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 衬底 栅极绝缘层 栅极层 投影区域 半导层 缺陷态 修复 投影 栅极绝缘层暴露 制备方法和应用 半导体层图案 衬底垂直方向 源/漏电极 半导体层 电荷释放 钝化工艺 使用性能 制备工艺 可修复 捕获 制备 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在衬底上形成第一导电层，并图案化形成栅极层；S2、在衬底上形成覆盖栅极层的栅极绝缘层；S3、在栅极绝缘层上形成半导体材料层，并图案化制得半导体层，半导体层在衬底上的投影落入栅极层在衬底上的投影区域范围内；S4、对栅极绝缘层未被半导体层覆盖区域进行钝化处理；S5、在栅极绝缘层上形成覆盖半导体层的第二导电层，并图案化形成分别覆盖半导体层两端源区和漏区的源极和漏极；所述半导体层为金属氧化物半导体层。
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