[发明专利]用于增强ESD保护的半导体结构

摘要

本发明公开了一种用于增强ESD保护的半导体结构。所述半导体结构包括多个指状物和连接件，其中所述多个指状物中的每个指状物包括多个电压箝位器，并且所述多个电压箝位器中的每个电压箝位器至少包括具有第一导电类型的第一阱和具有第二导电类型的第二阱，以及所述连接件在所述多个电压箝位器中的第一电压箝位器的所述第一阱的阱联接件与所述多个电压箝位器中的第二电压箝位器的所述第一阱的阱联接件之间，其中所述连接件能够将与所述第一电压箝位器中的电流流动相关联的偏压耦合到所述第二电压箝位器，并从而使所述第一电压箝位器和所述第二电压箝位器能够基本上同时触发接通。

主权项

一种半导体结构，其包括：第一阻断结，其在具有第一导电类型的第一阱与具有第二导电类型的半导体材料层之间；至少第二阻断结，其在具有所述第一导电类型的第二阱与所述半导体材料层之间；以及浮动连接件，其耦合到所述第一阻断结和所述至少第二阻断结的，其中所述浮动连接件能够将与流过所述第一阻断结的电流相关联的偏压耦合到所述至少第二阻断结，并从而使所述第一阻断结和所述至少第二阻断结能够基本上同时触发和导通电流。