[发明专利]凸块生长制程的保护方法在审
| 申请号： | 201310721960.2 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103700679A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 孙彬;沈丽娟 | 申请（专利权）人： | 颀中科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/48 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种凸块生长制程的保护方法，其包括提供待加工的晶圆，所述晶圆上设有裸露出晶圆的上表面的金属垫及敏感元件；在晶圆上形成光敏材料层，所述光敏材料层覆盖住敏感元件裸露出晶圆上表面的区域；提供光罩，曝光显影，定位保护敏感元件的光敏材料层；在整个晶圆上形成凸块下金属层；在位于金属垫上方的凸块下金属层上形成凸块；去除凸块之间的凸块下金属层；去除保护敏感元件的光敏材料层，露出敏感元件。本发明凸块生长制程的保护方法在凸块制程中有效保护敏感元件，避免了敏感元件的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 保护 方法 | ||
【主权项】：
一种凸块生长制程的保护方法，其包括：提供待加工的晶圆，所述晶圆上设有裸露出晶圆的上表面的金属垫及敏感元件；在晶圆上形成光敏材料层，所述光敏材料层覆盖住敏感元件裸露出晶圆上表面的区域；提供光罩，曝光显影，定位保护敏感元件的光敏材料层；在整个晶圆上形成凸块下金属层；在位于金属垫上方的凸块下金属层上形成凸块；去除凸块之间的凸块下金属层；去除保护敏感元件的光敏材料层，露出敏感元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
